Излучение в полупроводниковом лазере достигается посредством квантовых переходов между зонами проводимости и валентности. При том, что размер излучающей области лазера крайне мал (около 10-11 сантиметров), энергия излучения может достигать 10 Вт. Самым распространённым материалом, использующимся в полупроводниковых лазерах, является арсенид галлия. Первым полупроводниковым лазером стала разработка американского физика Р. Холла В 1962 году.
Несмотря на то, что услуга лазерной резки отличается высокой ценой, система такого оборудования не предполагает высокий напряжений, а ресурсы диодных линеек существенно превышают ресурса газоразрядных ламп. Более того, такой тип лазеров лучше управляется электронными системами.
Параметрические лазеры
В основе принципа работы параметрического лазера лежит преобразование мощных световых волн одной частоты, проходящих через нелинейные кристаллы, в излучение меньшей частоты. Кристалл лазера размещается между парой зеркал, которые выполняют роль резонатора. Изменение расстояния между зеркалами при постоянной длине излучаемой волны накачки позволяет регулировать частоту лазера в широких пределах.
Первый параметрический лазер одновременно создали в 1965 году четыре учёных: Дж. Джодмейкер и Р. Миллер (США), С. А. Ахманов и Р. В. Хохлов (СССР).
Жидкостный лазер
Лазеры такого виды работают с помощью растворов органических красителей, а также различных неорганических жидкостей. Такое оборудование позволяет настраивать длину волн излучения в широких пределах. Более того, излучение может быть как непрерывным, так и импульсным.
Жидкость, которая нагревается во время работы, проходит через холодильник. Для накачки могут использоваться мощные лампы или лазерное излучение. Лазер, в работе которого используются неорганические жидкости, своими параметрами схож с твердотельными моделями.